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Plessey開發2.5微米Micro LED顯示屏

2019年09月24日 10:08  來源:中國數字視聽網  字體【   

【數字視聽網訊】隨著越來越多廠商開發先進顯示產品和技術解決方案,小間距顯示屏正在成為面板市場的發展趨勢。

英國硅基氮化鎵(GaN-on-Si)專家Plessey宣布開發了一個創紀錄的2.5μm超高分辨率Micro LED顯示屏,用于可穿戴AR/VR設備。

Plessey一直致力于將Micro LED技術導入AR/VR顯示應用,本次采用了其專有的單片集成硅基氮化鎵技術,在2.5μm間距上創造了超精細、超高分辨率(2000×2000)的顯示屏,具備高亮度和高對比度等優點,且在室外環境下觀看舒適。相比傳統 LCOS 或 DLP 顯示屏,此款Micro LED顯示屏僅消耗20%的能量。


來源: Plessey

據了解,硅基氮化鎵技術具備很多優點。如:硅襯底的低熱阻性提高了熱提取效率,從而降低結溫,增強可靠性。該技術可提供卓越的能效、高分辨率及無可超越的對比度。因其與大規模硅集成電路工藝相似,硅基氮化鎵技術可以擴展到逐漸增大的晶圓,改善成本、提高一致性和良率。

事實上,Plessey已通過單片集成Micro LED技術獲得了其它技術突破。

今年3月,該公司宣布采用原本發出藍光的硅基氮化鎵開發出天然綠色LED。天然綠色LED是由GaN-on-Si外延生長工藝形成,與天然藍色LED類似,主要區別在于LED的量子阱結構中的銦含量。

5月,Plessey在2019年 SID Display Week上展出了首個單片集成硅基氮化鎵Micro LED顯示屏,由間距8μm的單色全高清(1920x1080)電流驅動像素陣列組成。(編譯:LEDinside Janice)

(編輯:bingjiling)

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